Datasheet下载- 型号： FQD630TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD630TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD630TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD630TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD630TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD630TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD630TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有60V耐压、4.5A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为0.18Ω @ Vgs=10V）及快速开关特性。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：如降压（Buck）转换器中的同步整流或高边/低边开关，适用于适配器、PoE供电设备等； - 电机控制：驱动小型直流电机、步进电机或风扇，常见于打印机、办公设备、家用电器（如吸尘器、电动工具）的H桥或单路驱动电路； - 负载开关与电源管理：用于板级电源的上电时序控制、热插拔保护、电池供电系统的负载隔离等； - LED驱动：作为恒流调光开关，用于中功率LED照明模块或背光驱动； - 工业控制接口：在PLC模块、传感器驱动电路中用作固态继电器替代器件，实现高效、无触点的通断控制。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈10nC），适合中频（数十kHz至数百kHz）开关应用；TO-252封装兼顾散热性与PCB空间效率，便于自动化贴片生产。需注意合理设计驱动电路（推荐Vgs≥10V以确保充分导通）及PCB铜箔散热，以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD630TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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