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- 型号： FQD2N50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD2N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD2N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD2N50TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD2N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD2N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD2N50TM 是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的N沟道增强型MOSFET，属于晶体管类别中的单个MOSFET器件。其关键参数包括：耐压VDSS = 500 V、连续漏极电流ID = 2.0 A（TC = 25°C）、低导通电阻RDS(on) ≈ 4.5 Ω（典型值），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具备良好的热性能和可靠性。 该器件主要应用于中低功率开关场景，典型用途包括： - 小功率AC-DC适配器与开关电源（如LED驱动电源、充电器）中的初级侧开关或次级同步整流控制； - 离线式反激（Flyback）或降压（Buck）转换器的功率开关； - 电机控制电路（如小型直流风扇、步进电机驱动中的H桥低端开关）； - LED恒流驱动电路中的PWM调光开关； - 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关或负载开关； - 工业控制板、智能电表、家电（如微波炉、电磁炉）中的继电器替代方案，实现固态开关功能。 其500V高耐压特性适合接入整流后的高压直流母线（如85–265V AC输入经整流后约120–375V DC），而TO-252封装便于PCB布局与散热设计，兼顾成本与性能。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、添加RC缓冲电路抑制电压尖峰，并确保PCB铜箔散热充足以维持长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD2N50TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.3 欧姆 @ 800mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Tc） |
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