【未分类_FQD24N08TM】封装/厂家_FQD24N08TM中文资料_价格

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型号： FQD24N08TM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD24N08TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD24N08TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD24N08TM封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQD24N08TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD24N08TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD24N08TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有80V耐压、24A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至0.055Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。

其典型应用场景包括：  
✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率开关电源、同步整流BUCK/BOOST转换器的主开关管或同步整流管，提升效率并减小体积；  
✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速与正反转控制；  
✅ LED照明驱动：在恒流LED驱动电源中用作主控开关，满足高效率、低EMI要求；  
✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护电路中的充/放电回路控制开关；  
✅ 工业控制与家电：如电磁阀驱动、逆变器辅助开关、智能插座、风扇调速模块等需可靠通断与中等功率切换的场合。

该器件内置ESD保护及优化体二极管，具备较强的抗雪崩能力（UIS rated），适合在有一定电压尖峰和瞬态应力的环境中稳定工作。其DPAK封装兼顾散热性与PCB布局灵活性，适用于空间受限但需兼顾性能与成本的中端应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD24N08TM
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	750pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 9.8A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	19.6A （Tc）