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- 型号： FQD1P50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1P50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1P50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1P50TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD1P50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1P50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1P50TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（注意：型号名称中“1P50”易被误读为 P 沟道，但实际 FQD1P50TM 为 N 沟道，VDS = 500 V，ID = 1.5 A，RDS(on) 典型值约 3.6 Ω @ VGS = 10 V）。其封装为 TO-252（DPAK），具备良好的散热性与PCB安装便利性。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：用作反激式或准谐振变换器中的主开关管，适用于适配器、LED驱动电源等中小功率（≤30 W）离线式电源。 ✅ LED照明驱动：在恒流/恒压LED驱动电路中实现PWM调光控制或初级侧开关功能。 ✅ 电机控制：驱动小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥低端开关（需搭配外部驱动及保护电路）。 ✅ 工业控制与继电器替代：作为固态继电器（SSR）核心元件，用于PLC输出模块、电表负载开关等需要高隔离、长寿命、低电磁干扰的场合。 ✅ 电池管理系统（BMS）：在低压侧电流检测路径或充电/放电回路中作保护开关（需注意其500 V耐压远超一般电池电压，适用于高压电池组预充或特殊隔离设计）。 注意事项：该器件为N沟道，需正向栅极驱动（≥10 V）；设计时应重视栅极驱动能力、米勒效应抑制及漏源过压/雪崩能量防护。不适用于线性区放大应用（功耗大、热稳定性差）。 （注：品牌“-”可能为信息缺失，实际制造商为onsemi；分类“晶体管 - FET，MOSFET - 单个”准确对应其单通道N-MOSFET属性。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1P50TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 欧姆 @ 600mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Tc） |
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