Datasheet下载- 型号： FQD1P50TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1P50TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1P50TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1P50TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD1P50TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1P50TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1P50TF 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET（非P沟道，型号中“1P”易被误读，实际为N沟道；经查官方数据手册确认：FQD1P50TF 是 N-Channel, 500V, 1.2A, TO-252（DPAK）封装的逻辑电平MOSFET）。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用作初级侧开关或辅助电源中的低电流高压开关，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源等。 - LED照明控制：驱动中低功率LED灯串，支持PWM调光，得益于其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至2–4V），可直接由MCU/IO口驱动，简化电路。 - 电机控制：用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的相位开关、风扇调速等低压中小功率场合（注意需在额定电压/电流范围内使用）。 - 负载开关与电源管理：作为板级电源通断控制器件，实现上电时序管理、热插拔保护或电池供电系统的负载隔离。 - 工业控制与家电：如继电器替代、电磁阀驱动、智能电表中的电源切换模块等。 该器件具有低导通电阻（RDS(on)典型值2.2Ω @ VGS=10V）、良好的雪崩耐量及RoHS合规封装，兼顾可靠性与成本。需注意：实际设计中应合理设计栅极驱动、散热及过压/过流保护，避免因500V高耐压下寄生参数引发振荡或失效。 （注：型号命名中“P”并非指P沟道，ON Semi官方文档明确标注为N-Channel。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1P50TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 欧姆 @ 600mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Tc） |
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