图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQD1N50TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N50TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N50TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N50TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD1N50TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1N50TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N50TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有500V耐压、1.1A连续漏极电流（ID）、典型导通电阻Rds(on)为14Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与低栅极电荷。 其主要应用场景包括： ✅ 离线式开关电源（SMPS）：常用于小功率AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源中的初级侧开关或辅助电源电路，适用于反激（Flyback）拓扑中低电流、高电压需求场合。 ✅ LED照明控制：在智能调光驱动、隔离式LED恒流源中用作高压侧开关，实现PWM调光或使能控制。 ✅ 电机控制与继电器驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）的启动/保护电路、电磁阀/继电器的高压侧驱动（需配合电平移位或隔离驱动）。 ✅ 工业与家电电源管理：如打印机电源模块、白色家电（微波炉、空调待机电源）中的高压稳压或过压保护开关。 ✅ 电池管理系统（BMS）辅助功能：用于高压检测路径的隔离开关或预充电控制（需注意电流能力限制，不适用于主充放电回路）。 注意事项：该器件额定电流较小（1.1A），不适用于大功率负载；设计时需确保足够散热（PCB铜箔面积≥1cm²）及栅极驱动稳定性（推荐VGS ≥ 10V以充分导通），并注意雪崩耐量（EAS=85mJ）对瞬态电压的防护能力。 综上，FQD1N50TM适用于中低功率、高电压、小电流的开关应用，兼顾成本、尺寸与可靠性，是通用型高压MOSFET的经济选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1N50TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 欧姆 @ 550mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A （Tc） |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQD1N50TM 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商