Datasheet下载- 型号： FQD14N15TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD14N15TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD14N15TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD14N15TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD14N15TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD14N15TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD14N15TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有150V耐压、14A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为0.18Ω），以及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）及BUCK-BOOST拓扑中作为功率开关，适用于工业电源、通信设备电源模块； ✅ 电机控制：驱动中小功率直流电机、步进电机或风扇控制电路（如家电、电动工具中的H桥或单边驱动）； ✅ 负载开关与电源管理：用于板级电源的热插拔保护、电池供电设备的电源通断控制（如POS机、便携式仪器）； ✅ 照明系统：LED恒流驱动电路中的PWM调光开关元件； ✅ 逆变器与UPS：在小功率离线式逆变器中用作DC侧开关器件。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定值）、低栅极电荷（Qg≈26nC），利于高频高效工作，并支持10V标准逻辑电平驱动（Vgs(th) 2–4V），兼容微控制器直接驱动。其DPAK封装兼顾散热性与贴片生产便利性，适用于空间受限但需中等功率处理能力的工业与消费类电子场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 10A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD14N15TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
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