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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB70N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB70N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB70N10TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB70N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB70N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB70N10TM 是 Fairchild Semiconductor(现属onsemi)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263(D²PAK)封装,具有100V耐压、70A连续漏极电流(Tc=25°C)、低导通电阻(Rds(on)典型值仅14mΩ),具备快速开关特性与良好热稳定性。 其典型应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信电源、工业电源中的同步整流、降压(Buck)转换器主开关管; ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)和步进电机的H桥驱动电路,提供高效、低发热的功率开关; ✅ 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关; ✅ LED照明驱动:在高效率恒流LED驱动电源中作PWM调光开关或功率级开关; ✅ 逆变器与UPS系统:作为单相逆变桥臂开关元件,适用于中小功率不间断电源及太阳能微逆变器。 该器件内置ESD保护和优化体二极管,具备抗雪崩能力(UIS rated),适合高可靠性、中高频(数十kHz至百kHz级)开关应用。需配合合理PCB布局、散热设计(如敷铜面积≥10cm²)及栅极驱动(推荐10–15V驱动电压)以发挥最佳性能。 (注:Fairchild于2016年被onsemi收购,该型号现由onsemi持续供货并兼容原设计。)