Datasheet下载- 型号： FQB70N08TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB70N08TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB70N08TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB70N08TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB70N08TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB70N08TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB70N08TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有70A连续漏极电流（ID）、80V耐压（VDS）、低导通电阻（RDS(on)典型值仅11.5mΩ @ VGS=10V），并具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机或风扇驱动模块，支持PWM调速与快速关断； - 电源管理与负载开关：在嵌入式系统、工控PLC、智能电表中用作高侧/低侧开关，实现电源通断控制与过流保护； - 逆变器与UPS系统：作为功率级开关器件，配合驱动IC构成半桥或全桥拓扑； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：FQB70N08TM为工业级，非车规；若需车规应用，应选用ON Semiconductor的AEC-Q101认证型号如NVB70N08T系列）。 该器件支持10V逻辑电平驱动，兼容主流MCU/PWM控制器，且D²PAK封装利于散热与PCB布局。使用时建议配合适当栅极驱动（避免振荡）、合理PCB铜箔散热设计及ESD防护措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB70N08TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70A （Tc） |
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