Datasheet下载- 型号： FQB5P20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5P20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5P20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5P20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5P20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5P20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5P20TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，额定电压-200V，连续漏极电流-4.3A（Tc=25°C），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值为1.2Ω）、快速开关特性和内置ESD保护。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于AC-DC适配器、LED驱动电源及工业电源中的反向阻断、负载开关或次级侧同步整流控制； 2. 电机控制：在小型直流电机（如风机、泵、办公设备）的H桥或半桥驱动电路中，作为高边开关实现方向与启停控制； 3. 电池管理系统（BMS）：用于便携式设备或电动工具的电池保护电路，实现过压/过流保护时的充放电路径切断； 4. 工业控制：在PLC模块、继电器替代电路及电磁阀驱动中，作为固态开关提供可靠隔离与长寿命操作； 5. 汽车电子辅助系统：适用于12V/24V车载环境（需满足AEC-Q101认证前设计验证），如车灯控制、座椅调节电机驱动等非安全关键应用。 该器件强调高耐压与稳健性，适合中功率、中频（<100kHz）开关场景，但不适用于高频谐振变换器或大电流连续导通工况。实际应用中建议配合合理栅极驱动（如负压关断以确保完全截止）与散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 4.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5P20TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Tc） |
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