Datasheet下载- 型号： FQB5N50CFTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N50CFTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N50CFTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N50CFTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB5N50CFTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB5N50CFTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N50CFTM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有500V耐压、5A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)为1.4Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的主开关管或PFC（功率因数校正）电路中，适用于反激式、正激式及有源钳位拓扑。 ✅ 工业控制与电机驱动：在中小功率直流电机驱动、继电器替代、电磁阀控制等场合，作为高效、可靠的功率开关。 ✅ 照明系统：适用于高压LED恒流驱动电路，尤其在离线式LED路灯/工矿灯驱动中承担高频斩波与调光控制功能。 ✅ 家电与消费电子：如空调压缩机辅助控制、电饭煲/微波炉的电源管理模块、智能插座中的过流保护与通断控制。 ✅ UPS与逆变器：在小功率不间断电源及DC-AC逆变模块中，用作DC侧开关或H桥低频/中频功率级器件（需注意散热设计）。 该器件具备低栅极电荷（Qg≈17nC）和优化的体二极管反向恢复特性，有助于降低开关损耗、提升系统效率与EMI性能；内置ESD保护，增强了可靠性。使用时建议配合合适驱动电路与充分散热（如加装散热片），并注意PCB布局以抑制寄生振荡。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB5N50CFTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FRFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 625pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.55 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FQB5N50CFTMDKR |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
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