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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQB45N15V2TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB45N15V2TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB45N15V2TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB45N15V2TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB45N15V2TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB45N15V2TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB45N15V2TM 是 Fairchild Semiconductor（现属onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于中高功率开关场景。其典型参数包括：VDS=150V、ID=45A（Tc=25°C）、RDS(on)低至~36mΩ（VGS=10V），采用TO-263（D²PAK）封装，具备优良的导通性能与热稳定性。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，如AC-DC适配器、服务器/通信电源； ✅ 电机驱动电路，适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动； ✅ 不间断电源（UPS）和逆变器中的DC-AC转换级； ✅ 工业控制设备中的电磁阀、继电器、LED照明调光驱动等负载开关； ✅ 汽车电子辅助系统（非安全关键类），如车载充电模块、风扇控制（符合AEC-Q101兼容设计，但需确认具体批次认证状态）。 该器件具备快速开关特性（tr/tf约20ns/45ns）、内置ESD保护及雪崩耐受能力（UIS rated），适合高频（数十kHz至百kHz级）硬开关应用。设计时需注意PCB散热布局与栅极驱动强度（推荐12–15V驱动以确保充分饱和），避免因米勒效应导致误导通。 （注：Fairchild品牌已于2016年被onsemi收购，该型号当前由onsemi持续供货并提供技术支持。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 45A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB45N15V2TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 220W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Tc） |
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