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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3N80TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB3N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB3N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3N80TM 是安森美(onsemi)出品的N沟道增强型高压MOSFET,额定电压800V、连续漏极电流3A(Tc=25℃),采用TO-263(D²PAK)封装,具备低导通电阻(Rds(on)典型值3.3Ω)、快速开关特性及良好的雪崩耐量。 其主要应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边/辅助电源等中功率场合,承担主开关或PFC后级开关功能; ✅ LED照明驱动:在隔离式反激(Flyback)或非隔离降压(Buck)恒流驱动电路中,作为高频开关器件,实现高效、低EMI调光控制; ✅ 工业控制与电机驱动:用于小功率直流电机H桥驱动、电磁阀/继电器控制、PLC输出模块等需800V耐压的中低压工业负载开关; ✅ 家电与白色家电:如变频空调压缩机辅助电源、微波炉高压电源、洗衣机排水泵驱动等对可靠性与耐压有要求的场景; ✅ 逆变器与UPS系统:在中小功率离线式逆变器(如100–500W)中用作DC-AC桥臂开关或DC-DC升压级开关。 注意:该器件不适用于高频谐振(如LLC)主功率管(受限于Qg与Rds(on)平衡),且需配合合理栅极驱动(推荐Vgs=10–15V)与散热设计(因Rds(on)较高,建议降额使用)。典型工作结温≤150℃,需重视PCB铜箔散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3N80TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 欧姆 @ 1.5A,10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |