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- 型号： FQB3N30TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3N30TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB3N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB3N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3N30TM 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压MOSFET，主要参数包括：耐压300V、连续漏极电流3A（Tc=25℃）、Rds(on)典型值为2.5Ω（Vgs=10V），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备良好的热性能与可靠性。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：常用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源的次级侧同步整流或初级侧开关（中低功率段），兼顾效率与成本； 2. DC-DC转换器：在工业控制、通信设备中的隔离/非隔离降压（Buck）、反激（Flyback）等拓扑中作主开关器件； 3. 电机控制：适用于小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或单向调速电路（如风扇、小型泵类）； 4. LED照明驱动：用于恒流/恒压LED驱动电路中的功率开关，支持PWM调光； 5. 家电与工业辅助电源：如微波炉、空调控制板、PLC模块中的待机电源或继电器驱动电路。 该器件具有较宽的安全工作区（SOA）、内置ESD保护及较低的栅极电荷（Qg≈12nC），利于高频（≤100kHz）开关应用，同时具备较强的雪崩耐受能力，提升系统鲁棒性。需注意合理设计驱动电路（推荐Vgs≥10V以确保充分导通）及散热措施（尤其在连续高负载下）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3N30TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Tc） |
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