Datasheet下载- 型号： FQB3N25TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB3N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB3N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB3N25TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB3N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB3N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB3N25TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，额定电压250V，连续漏极电流约3A（Tc=25°C），采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值2.4Ω）、快速开关特性和良好的雪崩耐受能力。 其典型应用场景包括： 1. 离线式开关电源（SMPS）：用于反激式或正激式转换器的主开关管，适用于AC-DC适配器、LED驱动电源及工业电源； 2. LED照明驱动：在隔离/非隔离LED恒流驱动电路中作为功率开关，支持调光与高效率运行； 3. 电机控制：适用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动中的单侧开关（需搭配互补器件），常见于家电（如风扇、水泵）和电动工具； 4. 电源管理模块：如DC-DC降压（Buck）变换器的高压侧开关，或电池供电系统中的负载开关与电源路径管理； 5. 工业控制与继电器替代：在PLC输出模块、固态继电器（SSR）中实现无触点通断控制，提升可靠性与寿命。 该器件强调高电压耐受性与热稳定性，适合中等功率、中高频（数十kHz至百kHz级）开关应用，但不适用于高频谐振（如LLC）或大电流（>5A）场景。设计时需注意PCB散热、栅极驱动强度及电压尖峰抑制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 2.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB3N25TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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