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- 型号： FQB34N20TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB34N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB34N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB34N20TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB34N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB34N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB34N20TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，主要参数包括：200V漏源耐压（VDSS）、34A连续漏极电流（ID，TC=25°C）、低导通电阻（RDS(on)典型值为0.065Ω @ VGS=10V），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备优良的开关性能与热稳定性。 该器件典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、工业电源中的主开关管或同步整流管； ✅ DC-DC转换器：用于降压（Buck）、升压（Boost）及反激（Flyback）拓扑的高压侧/低压侧开关； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动单元； ✅ 照明电子：LED驱动电源中作为PWM调光开关或恒流控制开关； ✅ 工业控制与电源管理：如PLC输出模块、继电器替代、电池保护电路中的充放电控制开关。 其高电压额定值与较低RDS(on)兼顾效率与可靠性，配合TO-263封装便于散热与自动化贴装，适合中高功率、中频（数十kHz至数百kHz）开关应用。注意设计时需合理匹配栅极驱动（推荐VGS ≥ 10V以确保充分导通），并做好PCB热设计与EMI抑制。
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