Datasheet下载- 型号： FQB2P40TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB2P40TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB2P40TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB2P40TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB2P40TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB2P40TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB2P40TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，额定电压为−40 V，连续漏极电流ID为−4.5 A（Tc=25°C），典型导通电阻Rds(on)低至120 mΩ（Vgs = −10 V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器（如Buck降压电路的高边/同步整流）、负载开关、电源OR-ing电路，利用其低导通损耗提升能效； 2. 电池保护与管理：适用于便携式设备（如蓝牙耳机、POS终端、智能穿戴）中的电池充放电保护电路，实现反向电流阻断与过流切断； 3. 电机驱动：在小型直流电机（如风扇、微型泵）的H桥或单路驱动中，作为上桥臂开关控制电机启停与方向； 4. 工业与消费类电子：用于LED驱动调光控制、继电器替代、USB端口电源开关等需低功耗、高可靠性的低压侧关断或高边控制场合。 该器件具备良好的热性能（RθJC ≈ 35°C/W）和雪崩耐量，适合空间受限且需中等功率切换（≤20 W）的应用。设计时建议配合合适栅极驱动（确保Vgs ≤ −10 V以充分导通）及PCB散热优化，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB2P40TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Tc） |
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