图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQB2N80TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB2N80TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB2N80TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB2N80TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB2N80TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB2N80TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB2N80TM 是安森美（onsemi）出品的N沟道增强型高压功率MOSFET，额定电压800V、连续漏极电流2A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值4.5Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源副边开关管或PFC电路中的升压开关管（需注意电流裕量，适合中小功率设计，如≤25W）。 2. 离线式电源系统：在反激（Flyback）、正激（Forward）等拓扑中作为主功率开关，尤其适用于对成本与可靠性要求较高的通用工业/家电电源。 3. 电机控制：可用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中作为单管H桥上臂或制动开关（需配合驱动与保护电路）。 4. LED恒流驱动：在隔离/非隔离降压或线性调光方案中作PWM调光开关或恒流调节器件。 5. 逆变器与UPS辅助电路：用于低压控制侧的高压信号切换或待机电源管理模块。 注意事项：因ID额定值较小，不适用于大电流连续导通场景；设计时需重视散热（建议PCB铜箔面积≥10cm²）、栅极驱动（推荐10–15V驱动电压，避免低于8V导致导通不充分）、以及过压/dv/dt抑制（如RC缓冲电路）。 综上，FQB2N80TM适用于中小功率、高电压、中低频（≤100kHz）开关应用，兼顾效率、可靠性和成本优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB2N80TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.3 欧姆 @ 900mA，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQB2N80TM 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商