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- 型号： FQB2N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB2N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB2N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB2N60TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB2N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB2N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB2N60TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有600V耐压、2A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)为3.0Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其主要应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源、PC待机电源等，适用于反激（Flyback）或准谐振（QR）拓扑中的主开关管； ✅ 离线式电源系统：因600V额定电压可直接应用于85–265V AC输入整流后的母线侧，满足通用宽电压输入需求； ✅ 电机控制与家电控制板：用于风扇、水泵、小功率压缩机等单相电机的驱动电路中，实现PWM调速与启停控制； ✅ LED照明恒流驱动：在隔离/非隔离LED驱动方案中作为功率开关，配合控制器实现高效率、低EMI设计； ✅ 工业控制与辅助电源模块：如PLC电源、继电器驱动、电表电源等对可靠性与温度稳定性要求较高的场合。 该器件具备低栅极电荷（Qg≈11nC）和优化的体二极管特性，有助于降低开关损耗与提高系统效率；TO-263封装兼顾散热性能与贴片自动化生产需求。需注意：实际应用中应合理设计驱动电路（推荐Vgs≥10V以确保充分导通）、布局散热路径，并预留足够电压裕量以应对开关尖峰。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB2N60TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Tc） |
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