Datasheet下载- 型号： FQB24N08TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB24N08TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB24N08TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB24N08TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB24N08TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB24N08TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB24N08TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有80V耐压、24A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为45mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率降压（Buck）或同步整流电路，如服务器电源、工业电源模块及通信设备的次级侧同步整流。 ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动器中的H桥高/低端开关，尤其在电动工具、家电（如吸尘器、风扇）和自动化设备中表现稳定。 ✅ 负载开关与电源管理：用作板级电源的热插拔保护、电池供电系统的主开关或背光LED驱动的PWM调光开关。 ✅ 逆变器与UPS系统：在小功率离网逆变器或不间断电源中承担高频开关功能，配合优化的栅极驱动可提升效率。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定）、低开关损耗及优异的热性能（D²PAK封装利于散热），适合中等功率、高可靠性要求的工业及消费类应用。需注意合理设计PCB布局、栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）及散热措施以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB24N08TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQB24N08TM 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商