图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQB14N30TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB14N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB14N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB14N30TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB14N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB14N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB14N30TM 是 Fairchild Semiconductor（现属安森美ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，主要参数包括：300V耐压（VDSS）、14A连续漏极电流（ID @ TC=25°C）、典型导通电阻RDS(on)为0.32Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与内置体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC ATX电源、工业电源的主开关或PFC升压级； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）控制器、家电（如风扇、水泵）及电动工具中的H桥/半桥驱动； ✅ 照明电子：LED恒流驱动电路、高压LED灯条驱动及电子镇流器； ✅ 逆变与UPS系统：在离线式不间断电源（UPS）和小型太阳能逆变器中承担DC-AC转换开关功能； ✅ 工业控制：PLC输出模块、电磁阀/继电器驱动、电热控制等中高压负载开关应用。 该器件具有良好的雪崩耐受能力（UIS额定值）、低栅极电荷（Qg≈35nC），利于高频高效工作；TO-263封装兼顾散热性与贴片自动化生产需求。需注意合理设计驱动电路（如栅极电阻匹配）与PCB散热焊盘，以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB14N30TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 290 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14.4A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQB14N30TM 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商