Datasheet下载- 型号： FQB13N06TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB13N06TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB13N06TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB13N06TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB13N06TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB13N06TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB13N06TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有60V耐压、13A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至0.085Ω（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率开关电源（如适配器、工业电源）的同步整流或主开关管； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥或半桥下管/上管； ✅ LED照明驱动：在恒流LED驱动器中作PWM调光开关或降压（Buck）拓扑主开关； ✅ 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电路径控制（如过流/短路保护开关）； ✅ 家电与工业控制：如变频风扇、水泵、PLC输出模块等需中等电流开关能力的场合。 该器件内置ESD保护与雪崩额定能力（UIS），提升了系统可靠性；D²PAK封装利于散热，适合中高功率密度设计。需注意合理设计栅极驱动（避免振荡）、PCB散热焊盘及并联使用时的均流匹配。不适用于高频射频或高压（>60V）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB13N06TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 135 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
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