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- 型号： FQB12N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB12N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB12N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB12N60TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB12N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB12N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB12N60TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、12A N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具备低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.58Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC/服务器ATX电源、LED驱动电源等的主开关管，适用于反激、正激及LLC谐振拓扑； - 工业电机驱动与控制：在中小功率变频器、风机/水泵控制器中作为逆变桥臂开关元件； - 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：承担DC-AC能量转换中的高频开关任务，兼顾效率与可靠性； - 电磁炉与感应加热设备：利用其高电压耐受与快速关断能力，实现高频谐振功率输出； - 电动车车载充电机（OBC）及DC-DC转换模块：满足高能效、高功率密度设计需求。 该器件内置栅极保护二极管，支持标准CMOS/TTL驱动，配合优化的体二极管反向恢复特性，有助于降低EMI并提升系统稳定性。适用于工作结温达150°C的严苛环境，是中高功率、高频开关应用的理想选择。
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