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- 型号： FQAF19N60
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF19N60由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF19N60价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF19N60封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF19N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF19N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF19N60 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、19A N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-3PF封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.28Ω）、快速开关特性及良好的雪崩耐量。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、工业电源的主开关管或PFC（功率因数校正）电路中的升压开关器件； - 电机驱动：适用于中小功率变频器、家用电器（如空调压缩机、洗衣机驱动）、电动工具等中压电机控制中的逆变桥上管； - 照明电子镇流器与LED驱动电源：在高频、高效率LED恒流驱动及HID灯镇流器中承担高频斩波与能量转换功能； - 不间断电源（UPS）与太阳能逆变器：作为DC-AC逆变级的功率开关，支持600V母线电压下的可靠工作； - 工业控制与电源模块：用于DC-DC隔离变换器、焊接设备、电镀电源等需高耐压、中等电流能力的场合。 该器件设计兼顾效率与鲁棒性，内置快速恢复体二极管，适合硬开关和部分软开关拓扑。注意需合理设计栅极驱动（推荐10–15V驱动电压）、散热（TO-3PF需良好散热片）及PCB布局，以充分发挥其性能并确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF19N60 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 120W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.2A （Tc） |
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