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  • 型号: FQA8N80
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA8N80由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA8N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQA8N80封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA8N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA8N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA8N80 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,主要参数包括:800V耐压(VDSS)、8A连续漏极电流(ID @ TC=25°C)、典型导通电阻RDS(on)为1.3Ω(VGS=10V),采用TO-3P封装,具备良好的开关性能与热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等的主开关管,适用于反激(Flyback)、正激(Forward)及LLC谐振拓扑中的高压侧开关。  
✅ 照明电子镇流器与智能LED驱动:满足高电压输入(如市电整流后高压直流母线)下的高效调光与恒流控制需求。  
✅ 工业控制与电机驱动:适用于中小功率(≤500W)的变频器、无刷直流(BLDC)电机控制器中的功率开关环节。  
✅ 家电与白色家电:如空调压缩机驱动、电磁炉、微波炉电源模块中的高压功率开关。  
✅ UPS与逆变器辅助电路:在后备式/在线式UPS中承担DC-AC逆变前级开关或旁路控制功能。

该器件具有快速开关特性(ton/toff约数十纳秒)、较低栅极电荷(Qg≈60nC),利于提升系统效率并减小EMI;内置体二极管具备一定续流能力,适用于硬开关应用。需注意合理设计驱动电路(推荐10–15V栅极驱动电压)及散热措施(TO-3P需良好PCB铜箔或散热器)以保障长期可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
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