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  • 型号: FQA10N80C_F109
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA10N80C_F109由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA10N80C_F109价格参考。Fairchild SemiconductorFQA10N80C_F109封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA10N80C_F109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA10N80C_F109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3PMOSFET 800V N-Ch QFET Advance

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA10N80C_F109QFET®

数据手册

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产品型号

FQA10N80C_F109

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

240 W

Pd-功率耗散

240 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.1 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

130 ns

下降时间

80 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

58nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.1 欧姆 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

其它名称

FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109

典型关闭延迟时间

90 ns

功率-最大值

240W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

FQA10N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

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