【FMY4AT148/规格参数】厂家_FMY4AT148中文资料_价格

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型号： FMY4AT148
制造商： ROHM Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FMY4AT148产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FMY4AT148由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供FMY4AT148价格参考以及ROHM SemiconductorFMY4AT148封装/规格参数等产品信息。你可以下载FMY4AT148参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMY4AT148详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMY4AT148 是罗姆（ROHM）半导体推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用SOT-457（6引脚小尺寸封装），内含两个独立的NPN晶体管（配对结构），具有高增益（hFE典型值120–270）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.1 V @ IC = 50 mA）、快速开关特性及良好的热稳定性。

其典型应用场景包括：  
1. 小型电子设备中的信号切换与逻辑电平转换——如便携式音频设备、可穿戴终端、传感器模块中驱动LED、蜂鸣器或小型继电器；  
2. 电源管理辅助电路——在DC-DC转换器或LDO稳压器中用作使能控制（EN/SS信号缓冲）、上电复位（POR）检测或负载开关驱动；  
3. 接口保护与电平适配——在MCU GPIO资源受限时，作为I²C/SPI总线缓冲器或开漏输出扩展，提升驱动能力与抗干扰性；  
4. 汽车电子子系统——符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否为车规版），适用于车身控制模块（BCM）中非安全关键的灯光控制、门窗开关信号调理等。  

该器件强调高集成度与节省PCB面积，适合空间敏感、中低功率（IC ≤ 150 mA）、中频（fT ≈ 250 MHz）应用，不适用于大电流开关或高频射频场景。设计时建议配合限流电阻使用，并注意散热与ESD防护。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS NPN/PNP DARL 50V 5SMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	Rohm Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor FMY4AT148-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FMY4AT148
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	120 @ 1mA，6V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SMT5
其它名称	FMY4AT148DKR
功率-最大值	300mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	7 V, - 6 V
商标	ROHM Semiconductor
增益带宽产品fT	180 MHz, 140 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-74A，SOT-753
封装/箱体	SC-74A-5
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN/PNP
晶体管类型	NPN，PNP 互补达林顿复合晶体管
最大功率耗散	300 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.15 A
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	150mA
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
直流电流增益hFE最大值	560
直流集电极/BaseGainhfeMin	120
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	50 V
集电极—基极电压VCBO	60 V
集电极—射极饱和电压	0.4 V, - 0.5 V
集电极连续电流	150 mA
频率-跃迁	180MHz，140MHz