【未分类_FMMT5179TC】封装/厂家_FMMT5179TC中文资料_价格

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型号： FMMT5179TC
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FMMT5179TC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMMT5179TC价格参考。Diodes Inc.FMMT5179TC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FMMT5179TC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMMT5179TC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMMT5179TC 是 Diodes Incorporated 推出的高性能 NPN 射频双极结型晶体管（RF BJT），采用 SOT-23 表面贴装封装。其典型应用场景包括：

1. 高频放大：适用于 100 MHz 至 1 GHz 频段的小信号放大，如无线通信前端的低噪声预放（LNA）、中频（IF）放大器及调谐放大器；fₜ（特征频率）高达 4.5 GHz，具备优异的高频增益与带宽性能。

2. 射频开关与调制电路：凭借快速开关特性（tᵣ/t_f 约 0.5 ns）和高 fₜ，可用于 433 MHz/868 MHz ISM 频段遥控、RFID 读写器、Zigbee 或 Sub-GHz IoT 设备中的射频开关或调制驱动级。

3. 便携式无线设备：因 SOT-23 封装尺寸小、功耗低（IC(max)=150 mA，Pₜₒₜ=350 mW），广泛用于蓝牙音频模块、无线传感器节点、智能电表、汽车遥控钥匙（RKE）等对空间和功耗敏感的电池供电设备。

4. 工业与消费类射频子系统：如 AM/FM 接收机射频前端、无线麦克风、安防无线报警模块等低成本、中等性能要求的模拟射频应用。

需注意：该器件为通用型RF BJT，非功率放大管，不适用于大功率发射级；设计时建议参考Diodes官方推荐偏置点（如VCE ≈ 5 V, IC ≈ 10–20 mA）以优化噪声系数与增益。应用中应注重PCB布局（短引线、良好接地）以维持高频稳定性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR RF NPN SOT23-3
产品分类	RF 晶体管 (BJT)
品牌	Diodes Incorporated
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FMMT5179TC
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	25 @ 3mA，1V
供应商器件封装	SOT-23-3
功率-最大值	330mW
包装	带卷（TR）
噪声系数（dB，不同f时的典型值）	4.5dB @ 200MHz
增益	15dB
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	NPN
标准包装	10,000
电压-集射极击穿（最大值）	12V
电流-集电极(Ic)（最大值）	50mA
频率-跃迁	2GHz