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  • 型号: FMA10AT148
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMA10AT148由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMA10AT148价格参考。ROHM SemiconductorFMA10AT148封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMA10AT148参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMA10AT148 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMA10AT148 是罗姆(ROHM)推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个NPN晶体管,各集成基极-发射极与基极-集电极电阻(典型配置:R1 = 10 kΩ,R2 = 10 kΩ),采用SOT-363(SC-70)小型封装。其主要应用场景包括:

1. 数字逻辑接口电平转换与驱动:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC输出端,将低电流逻辑信号(如3.3V/5V TTL/CMOS)放大为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或另一级BJT的电流信号,省去外部偏置电阻,简化PCB设计。

2. LED指示灯/背光驱动:适用于多路LED恒流开关控制(配合限流电阻),尤其在空间受限的便携设备(如传感器模块、工业HMI面板、家电控制板)中实现紧凑、可靠的状态指示。

3. 信号切换与缓冲:在通信接口(如UART、I²C上拉增强)、传感器信号调理电路中,用作低速信号开关或电流缓冲器,提升带载能力并增强抗干扰性。

4. 电池供电设备中的低功耗开关:得益于预偏置结构优化的开关特性(典型VCE(sat) ≈ 0.3 V @ IC=10 mA),可降低导通损耗,延长便携式设备续航。

注意:该器件不适用于高频(>100 MHz)、大功率(IC持续>100 mA)或线性放大场景。典型工作温度范围为−55°C至+150°C,符合AEC-Q101标准,亦可用于车规级辅助电子模块(如车身控制、照明管理)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT5开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL PNP 50V 100MA

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor FMA10AT148-

数据手册

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产品型号

FMA10AT148

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

33 @ 5mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

SMT5

典型电阻器比率

10

典型输入电阻器

1 kOhms

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74A,SOT-753

封装/箱体

SC-74-5

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

1k

直流集电极/BaseGainhfeMin

33

配置

Dual Common Emitter

集电极—发射极最大电压VCEO

- 50 V

集电极连续电流

- 100 mA

频率-跃迁

250MHz

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