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- 型号： FLZ3V0B
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FLZ3V0B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FLZ3V0B价格参考。Fairchild SemiconductorFLZ3V0B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FLZ3V0B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FLZ3V0B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FLZ3V0B 是安森美（ON Semiconductor）推出的3.0V齐纳二极管（单管），采用SOD-123表面贴装封装，具有低动态阻抗、高稳定性和优良的温度特性（典型温度系数约+2 mV/°C）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供精确、稳定的3.0V基准电压；适用于电池供电设备中对3V逻辑电平或LDO输出进行校准或钳位。 2. 过压保护与ESD钳位：并联在敏感IC引脚（如I²C总线、MCU GPIO）前，当瞬态电压超过3.0V（击穿电压Vz=3.0V，容差±5%）时快速导通，泄放浪涌电流，配合限流电阻实现低成本静电防护（IEC 61000-4-2 Level 2~3级防护）。 3. 电源轨箝位与电平转换辅助：在3.3V系统中用于限制信号摆幅至安全范围（如防止3.3V信号误入2.8V器件），或配合MOSFET实现简易双向电平适配。 4. 低成本替代方案：在对精度要求不高但需小体积、高可靠性的消费电子（如TWS耳机充电仓、智能手环电源管理模块）中，替代部分TL431等基准芯片以简化设计、降低成本。 注：该器件最大功率仅400mW，不适用于大电流稳压场景，设计时需严格核算功耗及散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.1V 500MW SOD80 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FLZ3V0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 35µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOD-80 |
| 其它名称 | FLZ3V0BDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±3% |
| 封装/外壳 | SOD-80 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 35 欧姆 |
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