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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FKI10300
- 制造商： Sanken
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FKI10300由Sanken设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FKI10300价格参考。SankenFKI10300封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FKI10300参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FKI10300 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Sanken（三垦）FKI10300是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-3P封装，主要参数包括：耐压VDSS = 1000 V，连续漏极电流ID = 3 A（TC = 25°C），最大脉冲电流IDM = 12 A，导通电阻RDS(on)典型值约2.5 Ω（VGS = 10 V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、工业电源等中高电压（如400V母线）的初级侧开关，承担高频斩波与能量转换； 2. 电机控制电路：用于小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的驱动模块中，作为半桥/全桥的上/下管（需配合驱动IC及续流保护）； 3. 电磁加热与感应加热设备：在中小功率（≤300W）电磁炉、电热水壶等产品的谐振逆变电路中，实现ZVS/ZCS软开关； 4. 工业控制与照明系统：如高压LED恒流驱动、电子镇流器、固态继电器（SSR）输出级等需高隔离耐压与可靠关断能力的场合。 需注意：该器件为单管结构，设计时须严格匹配栅极驱动（推荐VGS = 10–15 V）、加装RC缓冲电路抑制电压尖峰，并确保散热（建议加装散热器）。不适用于高频（>100 kHz）或大电流（>5A）连续导通场景，建议在数据手册限定的SOA（安全工作区）内使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 23A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Sanken |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FKI10300 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 650µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2540pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27.9 mOhm @ 17.1A, 10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 38W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
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