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型号： FK11X5R1A226MN006
制造商： TDK
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FK11X5R1A226MN006由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK11X5R1A226MN006价格参考。TDKFK11X5R1A226MN006封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FK11X5R1A226MN006参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FK11X5R1A226MN006 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FK11X5R1A226MN006 是一款由村田（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属“品牌为-”（即未指定其他品牌，实际主流厂商为村田），“分类为陶瓷电容器”，符合EIA标准封装（通常为1206尺寸），其参数解析如下：X5R温度特性（-55℃～+85℃，容值变化≤±15%），额定电压10V（“1A”代码），标称容量22μF（“226”即22×10⁶ pF = 22μF），公差±20%（“M”），无铅、符合RoHS（“N006”代表端电极结构及包装规格）。

该器件典型应用于中低电压、中高容值需求的去耦与滤波场景，尤其适合空间受限但需较高容值的便携式电子设备。常见应用场景包括：  
- 电源管理单元（PMU）中为SoC、MCU或DDR内存供电路径的局部去耦，抑制高频噪声；  
- 智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等小型化消费电子产品中LDO稳压器输入/输出端的滤波；  
- 电池供电类IoT模组的电源平滑与瞬态响应补偿；  
- 汽车电子中的信息娱乐系统（IVI）非安全相关模块（如音频放大器电源旁路）；  
- 工业控制板卡中FPGA或DSP核心电压域的次级去耦。

注意：因X5R材质存在容值随DC偏压显著下降的特性，实际应用中需结合工作电压进行降额设计（例如在8V偏压下，22μF可能降至约10–12μF），建议通过仿真或实测验证去耦效果。不适用于高可靠性要求的AEC-Q200汽车安全部件或高温工业环境（>85℃）。

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