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- 型号： FJYF2906PWD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJYF2906PWD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJYF2906PWD价格参考。Fairchild SemiconductorFJYF2906PWD封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJYF2906PWD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJYF2906PWD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJYF2906PWD 是一款由安森美（onsemi）推出的PNP型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-363（SC-70）小型表面贴装封装，具有低饱和电压、高电流增益和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路中的控制开关； 2. 信号电平转换与逻辑接口：在MCU/SoC与外围器件间实现3.3V/1.8V逻辑电平的反相驱动或上拉/下拉控制； 3. 小功率模拟开关与放大：用于传感器信号调理电路中的前置开关、电流镜、恒流源或低频小信号放大（如麦克风偏置电路）； 4. 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、家电控制板中驱动继电器、蜂鸣器或小型电磁阀等中低电流（IC ≤ 200mA）负载。 该器件不适用于大功率放大或高频射频应用（fT ≈ 150MHz，属中频范围），且需注意其最大集电极电流（IC = −200mA）、功耗（Pd = 300mW）及热设计限制。实际使用中建议配合合理基极限流电阻，并在PCB布局中注意散热与噪声隔离。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 40V 150MA SOT563F |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJYF2906PWD |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-563F |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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