Datasheet下载- 型号： FJX3011RTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJX3011RTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJX3011RTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJX3011RTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJX3011RTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJX3011RTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJX3011RTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），无需外部偏置电路即可直接驱动。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将低电流数字信号（如3.3V/5V TTL）放大为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极或光耦输入的电流信号。 2. LED驱动电路：适用于中低电流LED指示灯控制（Ic ≤ 100mA），简化设计、节省PCB空间，广泛用于消费电子、工业面板、电源状态指示等。 3. 开关应用：作为高速（fₜ ≈ 250MHz）、低功耗开关，用于电源使能控制、负载切换、信号选通等场景，响应快、导通饱和压降低（VCE(sat) ≈ 0.15V @ Ic=10mA）。 4. 替代传统分立偏置BJT方案：在空间受限或需提升生产良率的场合（如手机配件、IoT传感器模块），可减少元件数量、降低BOM成本与贴片工序。 注意：该器件不适用于线性放大或高功率/高压场景（VCEO=50V，Ptot=200mW），设计时需确保工作在开关区并留有足够裕量。典型应用电路见ON Semiconductor官方数据手册（DS30119/D）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJX3011RTF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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