Datasheet下载- 型号： FJV4110RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4110RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4110RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4110RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4110RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4110RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4110RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-23小外形封装，具有低功耗、高可靠性及简化外围电路设计等优势。 其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将3.3V/5V TTL/CMOS信号可靠驱动至更高负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极）； 2. LED恒流/开关控制：作为低成本LED驱动开关，配合限流电阻实现状态指示、背光控制或段码显示驱动； 3. 传感器信号调理与开关电路：在光电开关、霍尔传感器、按钮检测等弱信号输入场景中，用作电平整形、噪声抑制及有源缓冲； 4. 电源管理辅助功能：如LDO使能控制、电源状态指示、电池电压监测的分压采样后级开关等； 5. 消费电子与便携设备：适用于智能手机、可穿戴设备、IoT终端等对空间和BOM成本敏感的应用，替代传统“三极管+2电阻”方案，节省PCB面积并提升组装良率。 该器件最大集电极电流IC=100mA，VCEO=50V，hFE=160–460（典型值），具备良好的开关特性（tON/tOFF约数十纳秒），支持-55℃~+150℃宽温工作，满足工业及汽车电子（AEC-Q101兼容）基础要求。需注意其为通用预偏置管，不适用于高频射频或大功率放大场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4110RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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