Datasheet下载- 型号： FJV4108RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4108RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4108RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4108RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4108RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4108RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4108RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现TTL/CMOS电平到高电流输出的转换。 - LED驱动电路：适用于中低电流LED指示灯或背光控制（连续集电极电流IC=100mA，峰值150mA），凭借内置电阻可直接由3.3V/5V GPIO驱动，节省PCB空间与BOM成本。 - 开关电源中的辅助控制电路：如反馈检测、使能信号调理、过压保护触发等低压侧开关应用，具备快速开关特性（fT≈250MHz）及良好饱和性能。 - 消费电子与工业控制板卡：广泛用于打印机、家电主控板、传感器模块、IoT终端等对可靠性、尺寸和成本敏感的场景，SOT-23封装便于贴片组装。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），具备静电防护（HBM ≥2kV），适合批量自动化生产。需注意：不适用于线性放大或大功率开关场景，设计时应校验功耗（Pd=300mW）与热裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4108RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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