Datasheet下载- 型号： FJV4106RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4106RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4106RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4106RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4106RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4106RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4106RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，将3.3V/5V TTL/CMOS信号可靠驱动至更高负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），实现电平适配与电流放大。 2. LED驱动：适用于中低电流LED指示灯或段式数码管的段驱动，内置电阻可直接连接MCU GPIO，节省PCB空间并提升可靠性。 3. 开关控制电路：在消费电子、家电（如遥控器、智能插座、温控面板）中用作低功耗、高响应速度的有源开关，控制蜂鸣器、小型电磁阀或信号路径通断。 4. 传感器信号调理前端：配合光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器，作为缓冲/反相开关，增强抗干扰能力与驱动能力。 该器件采用SOT-23小尺寸封装，支持表面贴装，具备±10%电阻精度、低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ IC=10mA）、高直流电流增益（hFE=160–460），适合空间受限、成本敏感且对可靠性要求较高的中低速开关应用。不适用于高频放大或大功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV4106RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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