Datasheet下载- 型号： FJV4103RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV4103RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV4103RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV4103RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV4103RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV4103RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV4103RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），采用SOT-723超小型封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或DSP的I/O口驱动，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V TTL/CMOS）直接转换为足够驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载的开关信号，无需外置偏置电阻，简化PCB设计。 2. LED驱动与指示电路：适用于中低电流（IC≤100mA）LED开关控制，如面板指示灯、状态提示灯，内置电阻确保稳定饱和导通，提高可靠性与一致性。 3. 负载开关与信号切换：在便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中用作低功耗、高集成度的有源开关，控制传感器、蜂鸣器或小功率模块的供电通断。 4. 替代传统分立偏置方案：在空间受限、成本敏感的消费电子及工业控制板中，取代“BJT+2颗贴片电阻”的传统设计，提升组装良率并减小占位面积。 该器件具备高直流电流增益（hFE=160–470）、低饱和压降（VCE(sat)≈0.15V @ IC=10mA）、ESD防护（HBM ≥2kV）及AEC-Q200可靠性认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的灯光控制）。注意：不适用于线性放大或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/22K 22K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,Fairchild Semiconductor FJV4103RMTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJV4103RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 0.2 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 60 mg |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 系列 | FJV4103R |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | - 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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