Datasheet下载- 型号： FJNS4212RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4212RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4212RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4212RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4212RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4212RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4212RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小型蜂鸣器等负载，实现TTL/CMOS电平到开关信号的可靠转换； 2. 低功耗开关控制：适用于便携式设备（如IoT传感器节点、可穿戴设备）中的电源管理、信号通断控制，因内置偏置电阻可降低待机电流并节省PCB空间； 3. 信号调理与缓冲：在传感器前端电路中作电流放大或反相缓冲，提升驱动能力并增强抗干扰性； 4. 工业与消费类电子：广泛用于家电控制板（如空调、洗衣机主板）、LED照明驱动、电池供电设备的状态指示电路等。 该器件采用SOT-323（SC-70）微型封装，具备小尺寸、高可靠性及宽工作温度范围（−55°C ~ +150°C），适合高密度贴片组装。其预偏置设计免除了外部基极电阻，显著缩短开发周期并提高量产一致性。需注意：不适用于高频（>100 MHz）或大功率（>100 mW）场景，亦不可替代MOSFET用于高效电源开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4212RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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