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产品简介:
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FJNS4208RBU 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-563(SC-89)超小型封装,内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R1=10kΩ,R2=10kΩ),无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: • 低功耗开关控制:适用于便携式设备(如TWS耳机、智能手表、无线传感器节点)中的LED驱动、蜂鸣器驱动、小功率继电器/负载通断控制; • 数字逻辑电平接口:在MCU GPIO驱动能力不足时,作为电平转换或电流放大缓冲器,可靠驱动中等负载(Ic(max)=100mA,VCEO=50V); • 简化PCB设计:预偏置结构显著减少外围元件数量,节省空间并提升生产良率,特别适合高密度、微型化消费电子与IoT终端; • 电池供电系统:具备较低饱和压降(VCE(sat)≈0.15V @ Ic=10mA)和关断漏电流小(ICBO<100nA)特性,有助于延长电池寿命。 该器件不适用于高频放大或大功率开关场景(fT≈250MHz,属中速开关级),亦非线性放大首选。典型工作温度范围为−55°C至+150°C,符合工业级可靠性要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJNS4208RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |