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产品简介:
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FJNS4207RTA 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-523超小型封装,内置基极-发射极电阻(R1)和基极-集电极电阻(R2),实现内置偏置网络,简化外围电路设计。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑接口与电平转换:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载,实现高低电平开关控制; 2. 低功耗开关应用:因具备低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和较小输入电流需求,适用于电池供电设备(如IoT传感器节点、可穿戴设备)中的信号开关与状态指示; 3. 简易反相器/缓冲器电路:利用其预偏置结构,可单颗器件构成可靠反相开关,替代分立偏置方案,节省PCB面积与BOM成本; 4. 负载检测与状态反馈电路:在电源管理模块中用作电流检测开关或故障信号传递元件。 该器件工作结温范围宽(–55°C 至 +150°C),具备良好热稳定性与ESD防护能力(HBM ≥ 2kV),适合工业控制、汽车电子(非安全关键系统,如车灯控制、座椅调节辅助电路)及消费类电子中对尺寸、可靠性和设计简洁性有较高要求的场合。注意:不适用于线性放大或高频射频应用,且需避免超过最大额定值(如IC=100mA,PD=200mW)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJNS4207RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |