Datasheet下载- 型号： FJNS3209RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS3209RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS3209RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS3209RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS3209RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS3209RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS3209RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-563（SC-89）超小型封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等，实现TTL/CMOS信号到负载的可靠开关控制； 2. 低功耗开关应用：适用于便携式设备（如智能手机、可穿戴设备、IoT传感器节点）中的LED指示灯驱动、蜂鸣器驱动、信号路径通断控制等，得益于其低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和较小静态电流； 3. 输入信号调理与缓冲：在传感器前端或通信接口中作电流放大或反相缓冲，提升抗干扰能力； 4. 替代传统分立偏置BJT方案：节省PCB面积与BOM元件数量，提高生产良率与可靠性，尤其适合空间受限的高密度板级设计。 该器件工作结温范围为–55°C 至 +150°C，具备良好的热稳定性与ESD防护能力（HBM ≥ 2kV），符合工业及消费类电子可靠性要求。需注意其最大集电极电流IC为100mA（连续），不适用于大功率开关场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS3209RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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