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  • 型号: FJN598JBTA
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FJN598JBTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN598JBTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN598JBTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN598JBTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN598JBTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FJN598JBTA 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道结型场效应晶体管(JFET),采用 SOT-23 表面贴装封装。其典型应用场景包括:

1. 低噪声前置放大电路:JFET 具有高输入阻抗和极低的输入偏置电流,特别适用于麦克风前置放大器、传感器信号调理(如热电偶、光电二极管)等对噪声敏感的模拟前端。

2. 恒流源/电流镜电路:利用 JFET 的饱和区特性,可构建简单稳定的基准电流源,常用于模拟IC偏置、LED驱动或电流检测电路。

3. 模拟开关与多路复用器:在低频(<1 MHz)、小信号场合中,FJN598JBTA 可作为单刀单掷(SPST)模拟开关,因其无阈值电压、导通电阻线性度好、关断漏电流极小(典型<1 pA)。

4. 音频与仪器仪表电路:如音源选择开关、电平位移器、高阻抗缓冲器(源极跟随器),发挥其低失真、高CMRR优势。

5. 电池供电便携设备:SOT-23 封装节省空间,静态功耗极低(IDSS 约 1–5 mA,可零偏置工作),适合手持式测试仪、医疗传感器节点等低功耗系统。

注意:该器件不适用于高频射频(RF)或大功率开关场景;设计时需注意栅极不可正向偏置(VGS ≥ 0),须确保工作点始终处于反向偏置区域以维持JFET特性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 20V 1MA 150MW TO92

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FJN598JBTA

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

600mV @ 1µA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

100µA @ 5V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3.5pF @ 5V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

150mW

包装

带盒(TB)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

标准包装

2,000

漏极电流(Id)-最大值

1mA

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

20V

电阻-RDS(开)

-

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