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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4314RTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4314RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4314RTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN4314RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN4314RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4314RTA 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置为R1=10kΩ,R2=10kΩ),简化外围电路设计。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑接口与电平转换:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载,实现TTL/CMOS电平到开关信号的可靠转换; 2. 开关控制电路:凭借低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA)和快速开关特性(tf ≈ 10ns),适用于中低速、中小电流(IC max = 100mA)的开关应用,如电源使能控制、状态指示、传感器信号调理中的有源开关; 3. 分立式预偏置放大/缓冲:在对增益要求不高但需稳定工作点的场合(如光电耦合器输出级、简单信号整形电路),可替代传统三极管+分立偏置电阻方案,提升一致性与PCB空间利用率; 4. 消费电子与工业控制板:广泛应用于打印机、家电主控板、工业I/O模块等对成本、可靠性和贴装效率敏感的场景。 该器件采用SOT-23封装,支持无铅回流焊,符合AEC-Q101可靠性标准(部分批次),具备良好温度稳定性与ESD防护能力(HBM > 4kV),适合批量自动化生产。注意:不适用于线性放大或高频射频应用,亦非功率开关器件,设计时需确保功耗(Ptot ≤ 350mW)及电流在安全范围内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4314RTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |