Datasheet下载- 型号： FJN4312RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4312RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4312RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4312RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4312RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4312RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4312RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端的信号缓冲与驱动，可直接接收3.3V/5V TTL/CMOS电平，驱动LED、继电器线圈或小功率MOSFET栅极。 2. LED恒流/开关控制：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和稳定开关特性，常用于中低电流LED指示灯、背光或段码显示的通断控制。 3. 电源管理中的使能/复位电路：在DC-DC模块或LDO电源系统中，用作受控使能开关（EN pin驱动）或上电复位信号整形。 4. 工业与消费类电子中的简易开关应用：如传感器信号调理前端、按键消抖、蜂鸣器驱动及小型继电器/电磁阀控制等对成本与PCB面积敏感的场景。 该器件采用SOT-23超小型封装，具备±5%电阻精度、高HFE（典型160@IC=5mA）、良好温度稳定性及ESD防护能力（HBM > 2kV），兼顾可靠性与易用性，特别适合空间受限、需减少外围元件数量的嵌入式系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4312RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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