Datasheet下载- 型号： FJN4311RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN4311RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN4311RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN4311RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN4311RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN4311RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN4311RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现TTL/CMOS信号到开关控制的可靠转换； - 低功耗开关应用：适用于便携式设备（如IoT传感器节点、遥控器、可穿戴设备）中的信号切换、状态指示（驱动LED）、蜂鸣器驱动等，因预偏置结构降低待机功耗； - 替代传统“晶体管+两个电阻”方案：在空间受限的PCB设计中（如手机主板、小型电源管理模块），显著节省布板面积并提升生产良率； - 工业与消费类电子中的简单放大/开关电路：如光电耦合器输出级、按键消抖、电源使能（EN）控制等对增益要求不高但强调可靠性和一致性的场合。 该器件具备SOT-23封装、高直流电流增益（hFE = 160–450 @ IC = 10mA）、最大VCEO = 50V、IC(max) = 100mA，适合中低速、中小电流（≤100mA）开关场景，不适用于高频放大或大功率驱动。其预偏置特性保障了开关阈值稳定，抗干扰能力优于分立偏置方案，是成本敏感、设计周期紧张项目的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN4311RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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