Datasheet下载- 型号： FJN3312RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3312RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3312RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3312RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3312RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3312RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3312RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（如STM32、Arduino）I/O口驱动，将3.3V/5V TTL/CMOS信号可靠地转换为开关控制信号，驱动LED、继电器或小功率负载。 - 负载开关与信号切换：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）和快速开关特性（ton/toff < 100ns），适用于便携设备中的电源通断控制、传感器使能管理等低功耗开关场景。 - 简易放大与缓冲电路：在对增益要求不高的场合（如传感器信号整形、脉冲整形），可作为射极跟随器或固定增益开关放大器使用。 - 工业与消费类电子：广泛应用于家电控制板（如洗衣机电机驱动逻辑）、智能照明驱动、电池供电设备的待机电源管理等空间受限、成本敏感的嵌入式系统中。 该器件采用SOT-23超小型封装，具备±5000V HBM ESD防护能力，工作结温范围达–55°C 至 +150°C，兼具高可靠性与易用性，特别适合替代分立偏置BJT方案以节省PCB面积并提升生产良率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3312RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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