Datasheet下载- 型号： FJN3308RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3308RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3308RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3308RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJN3308RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJN3308RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3308RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型为R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与开关控制：常用于微控制器（如STM32、Arduino）IO口驱动小功率负载（LED、继电器线圈、小型蜂鸣器），实现高/低电平到开关信号的可靠转换；因预偏置结构，可直接由3.3V或5V逻辑电平驱动，响应快、功耗低。 2. 便携式与电池供电设备：低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）、较小封装（SOT-23），适用于空间受限的消费电子（如遥控器、无线传感器节点、可穿戴设备）中的电源管理或信号切换。 3. 工业I/O接口与PLC输入缓冲：作为电平整形或光电耦合器后级驱动，提升抗干扰能力；预偏置设计增强开关一致性，减少温度漂移影响。 4. 替代传统分立偏置BJT方案：在批量生产中降低BOM成本与贴片工序，提高装配可靠性。 注意：该器件非功率器件（IC(max)=100mA），不适用于电机驱动或大电流负载；亦不可替代MOSFET用于高频/高压场景。选型时需确保工作电压（VCEO=50V）、电流及环境温度在其额定范围内。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJN3308RBU |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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