Datasheet下载- 型号： FGPF7N60LSDTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF7N60LSDTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF7N60LSDTU价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF7N60LSDTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FGPF7N60LSDTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FGPF7N60LSDTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF7N60LSDTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的600V、7A、TO-220F封装的超结（SuperFET® II）高压MOSFET，具备低导通电阻（RDS(on)典型值0.85Ω）、快速开关特性及内置ESD保护和雪崩耐量（UIS rated）。 该器件主要面向中高功率、高频开关应用，典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：如PC/服务器ATX电源、LED驱动器、适配器中的主开关管； - PFC电路（有源功率因数校正）：在升压型PFC段中承担高频斩波功能，提升能效与功率因数； - 工业控制与电机驱动：适用于小功率变频器、风机/泵类驱动中的逆变桥上管（需配合驱动IC及续流二极管）； - 家电电源系统：如空调、冰箱等变频压缩机控制模块中的DC-AC转换环节； - UPS与光伏微逆变器：在中小功率能量转换系统中实现高效DC/AC或DC/DC变换。 注意：该型号为单N沟道增强型MOSFET，非IGBT，不适用于大电流硬开关或极低频（如<10kHz）工频逆变场景；其TO-220F封装需良好散热设计，推荐工作结温≤150℃。实际应用中建议搭配安森美推荐驱动芯片（如NCV8402）并优化PCB布局以抑制EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 120ns/410ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 21A |
| 描述 | IGBT 600V 14A 45W TO220F |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 24nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FGPF7N60LSDTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | 270µJ （开）， 3.8mJ （关） |
| TestCondition | 300V, 7A, 470 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，7A |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 65ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 14A |
| 输入类型 | 标准 |
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