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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FGPF4533由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FGPF4533价格参考。Fairchild SemiconductorFGPF4533封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FGPF4533参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FGPF4533 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FGPF4533 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-220FP 封装,具有 450V 耐压、33A 连续漏极电流(Tc=25℃)、低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.12Ω),并优化了开关速度与抗雪崩能力。 其典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关; ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)控制器、家电(如变频空调、洗衣机驱动模块)中的逆变桥上管; ✅ 工业控制与电源模块:在 UPS、工业电源、电焊机等中承担高频硬开关任务; ✅ 照明电子镇流器及高压LED恒流驱动:凭借高耐压与快速开关特性,满足隔离式/非隔离式LED驱动拓扑(如反激、降压-升压)需求。 该器件不集成体二极管续流优化(非同步整流专用),但具备良好SOA(安全工作区)和UIS(非钳位感性开关)鲁棒性,适合中高频(<100kHz)、中功率(约100–500W级)硬开关应用。需注意合理设计栅极驱动(推荐12–15V驱动电压)与散热(TO-220FP为绝缘封装,仍需良好散热片)以保障长期可靠性。 (字数:298)
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 200A |
| 描述 | IGBT 330V 28.4W TO220-3FPIGBT 晶体管 330V 50A 4th Gen PDP IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 44nC |
| IGBT类型 | 沟道 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Fairchild Semiconductor FGPF4533- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FGPF4533 |
| PCN组件/产地 | |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.8V @ 15V,50A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 28.4W |
| 功率耗散 | 28.4 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 50 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220F |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 30 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 330V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | - |
| 系列 | FGPF4533 |
| 输入类型 | 标准 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 330 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.15 V |